Товары от производителя GeneSiC SEMICONDUCTOR - страница 5

Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,8кА Код производителяGD2X100MPS12N Конструкция диода2 независимых диода
17 384.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2X100MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B" 100.

Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,168кА Код производителяGD2X30MPS06N Конструкция диода2 независимых диода
4 130.18 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "GD2X30MPS06N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,24кА Код производителяGD2X30MPS12N Конструкция диода2 независимых диода
6 056.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2X30MPS12N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Время готовности10нс Импульсный ток0,6кА Код производителяGD2X75MPS17N Конструкция диода2 независимых диода
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2X75MPS17N, Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,7кВ; If: 75Аx2; SOT227B" 1.

Фильтры товаров
Срок поставки
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Механический монтаж
Обратное напряжение макс.
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Корпус
Падение напряжения макс.
Тип модуля
Ток стока
Электрический монтаж
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Время готовности
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов