Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3
IPB073N15N5
0.0
Нет в наличии
1 05777 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
IPB081N06L3G
0.0
Нет в наличии
20455 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
IPB083N10N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
28883 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3
IPB083N15N5LF
0.0
Нет в наличии
1 40436 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3
IPB090N06N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
20928 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт
IPB100N04S303
0.0
Нет в наличии
35417 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB100N06S205
0.0
Нет в наличии
42140 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB100N06S2L05
0.0
Нет в наличии
80303 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
IPB100N10S305ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB107N20N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
2 16572 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB107N20NAATMA1
0.0
Доступность: 823 шт.
1 37216 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3
IPB108N15N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
79545 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3
IPB110N20N3LF
0.0
Нет в наличии
2 14583 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3
IPB117N20NFDATMA1
0.0
Нет в наличии
1 18371 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт
IPB120N06S402
0.0
Нет в наличии
55682 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт
IPB120P04P404ATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3
IPB123N10N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
37784 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3
IPB144N12N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А
IPB160N04S4L-H1
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...20В Напряжение сток-исток40В
IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
IPB180N04S4H0
0.0
Нет в наличии
76136 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А
IPB180N06S4H1ATMA2
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7
IPB180P04P403
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,19мкC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт
IPB180P04P4L02ATMA
0.0
Нет в наличии
000 ₽
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора65нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD
IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3
IPB200N15N3GATMA1
0.0
Нет в наличии
53125 ₽
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
Показать еще 24 товара