IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А

IPB180N06S4H1ATMA2
000 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А" 1.

Артикул производителя
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Корпус
PG-TO263-7-3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
IPB180N06S4H1ATMA2
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,7мОм
Технология
OptiMOS® -T2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
180А
Ток стока в импульсном режиме
720А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены