IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт

IPB180N04S4H0
‍494‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
50+
100+
250+
500+
1000+
Цена
438 ₽
411 ₽
374 ₽
345 ₽
317 ₽
280 ₽
256 ₽
229 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

Артикул производителя
IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Заряд затвора
173нC
Корпус
PG-TO263-7
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
IPB180N04S4H0ATMA1
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,1мОм
Технология
OptiMOS™ T2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
180А

Отзывы не найдены

Описание (ipb180n04s4h0.pdf, 163 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены