Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BGA524N6E6327XTSA1, IC: усилитель РЧ; 1550÷1615МГц; Ch: 1; 1,5÷3,3В; TSNP6; 0,55дБ
0.0
BGA524N6E6327XTSA1
Вид упаковкибобина, лента Кол-во каналов1 КорпусTSNP6 Коэффициент шумов0,55дБ МонтажSMT
13447 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGA524N6E6327XTSA1, IC: усилитель РЧ; 1550÷1615МГц; Ch: 1; 1,5÷3,3В; TSNP6; 0,55дБ" 1.

BGS12P2L6E6327XTSA1, IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1,65÷3,4ВDC; 0,05÷6ГГц
0.0
BGS12P2L6E6327XTSA
Конфигурация выходаSPDT КорпусTSLP-6-4 МонтажSMD Обозначение производителяBGS12P2L6E6327XTSA1 Полоса передаваемых частот0,05...6ГГц
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGS12P2L6E6327XTSA1, IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1,65÷3,4ВDC; 0,05÷6ГГц" 1.

BGS12SN6E6327XTSA1, IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1,8÷3,5ВDC; 0,1÷6ГГц
0.0
BGS12SN6E6327XTSA1
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаSPDT КорпусTSNP6 МонтажSMD Обозначение производителяBGS12SN6E6327XTSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGS12SN6E6327XTSA1, IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1,8÷3,5ВDC; 0,1÷6ГГц" 1.

BGS13S4N9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP3T; Ch: 3; TSNP9; 1,8÷3,3ВDC; 0,1÷3ГГц
0.0
BGS13S4N9
Кол-во каналов3 Конфигурация выходаSP3T КорпусTSNP9 МонтажSMD Обозначение производителяBGS13S4N9E6327XTSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGS13S4N9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP3T; Ch: 3; TSNP9; 1,8÷3,3ВDC; 0,1÷3ГГц" 1.

BGS14MPA9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1,65÷1,95ВDC; 0,05÷6ГГц
0.0
BGS14MPA9E6327
ИнтерфейсMIPI Кол-во каналов4 Конфигурация выходаSP4T КорпусATSLP-9-3 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGS14MPA9E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1,65÷1,95ВDC; 0,05÷6ГГц" 1.

BGSA14GN10E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1,8÷3,6ВDC; 0,1÷5ГГц
0.0
BGSA14GN10E6327
Кол-во каналов4 Конфигурация выходаSP4T КорпусTSNP10 МонтажSMD Обозначение производителяBGSA14GN10E6327XTSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGSA14GN10E6327XTSA1, IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1,8÷3,6ВDC; 0,1÷5ГГц" 1.

BGSX22G2A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц
0.0
BGSX22G2A10
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаDPDT КорпусATSLP-10-2 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX22G2A10E6327XTSA1
000 ₽
Доступность: 67 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGSX22G2A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц" 1.

BGSX22G5A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц
0.0
BGSX22G5A10
Кол-во каналов2 Конфигурация выходаDPDT КорпусATSLP-10-5 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX22G5A10E6327XTSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGSX22G5A10E6327XTSA1, IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷6ГГц" 1.

BGSX24MU16E6327XUSA1, IC: RF switch; DP4T; MIPI; ULGA16-1; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷5ГГц
0.0
BGSX24MU16E6327
ИнтерфейсMIPI Конфигурация выходаDP4T КорпусULGA16-1 МонтажSMD Обозначение производителяBGSX24MU16E6327XUSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGSX24MU16E6327XUSA1, IC: RF switch; DP4T; MIPI; ULGA16-1; 1,65÷3,4ВDC; 0,1÷5ГГц" 1.

BGT24LTR11N16E6327XTSA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; TSNP16; -40÷85°C; бобина,лента
0.0
BGT24LTR11
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента Количество передатчиков1 Количество приемников1 КорпусTSNP16
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGT24LTR11N16E6327XTSA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; TSNP16; -40÷85°C; бобина,лента" 1.

BGT24MTR11E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ
0.0
BGT24MTR11
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI Количество передатчиков1 Количество приемников1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BGT24MTR11E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ" 1.

BGT24MTR12E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ
0.0
BGT24MTR12
Вид микросхемыMMIC, трансивер RF Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI Количество передатчиков1 Количество приемников2
000 ₽
Доступность: 476 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGT24MTR12E6327XUMA1, IC: интерфейс; MMIC,трансивер RF; SPI; VQFN32; -40÷105°C; NF: 12дБ" 1.

BGX50AE6327, Диод: импульсный; SMD; 50В; 0,14А; SOT143; 210мВт; бобина,лента
0.0
BGX50AE6327
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодадиодный мост КорпусSOT143 МонтажSMD Обозначение производителяBGX50AE6327
2841 ₽
Доступность: 2716 шт.
 

Минимальное количество для товара "BGX50AE6327, Диод: импульсный; SMD; 50В; 0,14А; SOT143; 210мВт; бобина,лента" 1.

BSB008NE2LXXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 180А; 89Вт
0.0
BSB008NE2LXXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB008NE2LXXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 180А; 89Вт" 1.

BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт
0.0
BSB012NE2LXIXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт" 1.

BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт
0.0
BSB013NE2LXIXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт" 1.

BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт
0.0
BSB014N04LX3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт" 1.

BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт
0.0
BSB015N04NX3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт" 1.

BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт
0.0
BSB028N06NN3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт" 1.

BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт
0.0
BSB044N08NN3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт" 1.

BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт
0.0
BSB056N10NN3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MN, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт" 1.

BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт
0.0
BSB104N08NP3GXUSA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт" 1.

BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт
0.0
BSB165N15NZ3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт" 1.

BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт
0.0
BSB280N15NZ3GXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт" 1.

Показать еще 24 товара