Товары от производителя INFINEON TECHNOLOGIES - страница 23

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
55.35 
Доступность: 6513 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
36.90 
Доступность: 4219 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS816NWH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPG-SOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.73 
Доступность: 15515 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS83PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,33А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT23 МонтажSMD
33.95 
Доступность: 13401 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84PH6327XTSA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,37нC КорпусPG-SOT-323 МонтажSMD
26.57 
Доступность: 2180 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84PWH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT89-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток240В
89.30 
Доступность: 1008 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS87H6327FTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,26А; 1Вт; SOT89-4" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
69.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSV236SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,5А; 0,56Вт; PG-SOT-363" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
163.84 
Доступность: 4970 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
350.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ018NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
219.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
220.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
227.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
61.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
253.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
218.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
130.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
109.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
87.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
151.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
264.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки