Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ068N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

253⁷⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ075N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ075N08NS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ075N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ084N08NS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

254⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ086P03NS3EGATMA

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

264²⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ086P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ086P03NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ088N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ088N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0901NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

256⁶³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0901NSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

272⁷³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0902NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0902NSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0909NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В

71⁰² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ096N10LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 160А; 69Вт

0.0

КОД:

BSZ096N10LS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8FL МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ096N10LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 160А; 69Вт" 1.

BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ097N04LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

172³⁵ ^₽

Доступность: 4920 шт.

Минимальное количество для товара "BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 50.

BSZ097N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ097N10NS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ097N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ0994NS

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ099N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 29А; 36Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ099N06LS5

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,9нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ099N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 29А; 36Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ100N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ100N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ100N06LS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 36Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ100N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ100N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 36Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ105N04NSG

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 80А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ110N06NS3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 80А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8

0.0

КОД:

BSZ110N08NS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В

235⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSZ110N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.