Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD031N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
140.71 ₽
Доступность: 2863 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD031N06L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
338.34 ₽
Доступность: 759 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD034N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
373.12 ₽
Доступность: 794 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD038N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
300.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD040N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
199.21 ₽
Доступность: 2643 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD050N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
132.02 ₽
Доступность: 1611 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD060N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
111.46 ₽
Доступность: 2463 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD068P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD068P03L3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
194.47 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD068P03L3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD075N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
71.94 ₽
Доступность: 2445 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD082N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
145.45 ₽
Доступность: 2371 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD090N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
119.37 ₽
Доступность: 2156 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD12CN10NGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
300.40 ₽
Доступность: 1766 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD135N03LGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
79.05 ₽
Доступность: 782 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт
0.0
IPD200N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
381.03 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD30N08S222
Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
287.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD350N06LGBTMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
200.00 ₽
Доступность: 2245 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт
0.0
IPD50N06S4L12
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
164.43 ₽
Доступность: 1646 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт" 1.

IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А
0.0
IPD50P04P4L11ATMA2
Вид каналаобогащенный Заряд затвора14нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...5В
268.77 ₽
Доступность: 2500 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50P04P4L11ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А" 1.

IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R399CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
295.65 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R399CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
295.65 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK
0.0
IPD50R500CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
101.19 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK" 1.

IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R520CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
245.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R520CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
245.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R950CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
124.11 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки