Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF200R12KE4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KE4PHOSA1

26 454⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF200R12KE4PHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

0.0

КОД:

FF200R12KT3E

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT3EHOSA1

27 079⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF200R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF200R12KT4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R12KT4HOSA1

26 246²¹ ^₽

Доступность: 4 шт.

Минимальное количество для товара "FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

FF200R17KE4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF200R17KE4HOSA1

44 784⁰⁹ ^₽

Доступность: 4 шт.

Минимальное количество для товара "FF200R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

FF300R06KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

FF300R06KE3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R06KE3

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF300R06KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

FF300R12KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF300R12KE3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KE3

39 577⁶⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF300R12KE3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF300R12KS4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF300R12KS4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KS4

45 617⁴² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF300R12KS4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF300R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2

0.0

КОД:

FF300R12KT3E

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT3EHOSA1

44 160⁰⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF300R12KT3EHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

FF300R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF300R12KT4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R12KT4HOSA1

28 536⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF300R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF300R17ME4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

FF300R17ME4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF300R17ME4BOSA1

45 617⁴² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF300R17ME4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

FF450R06ME3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В

0.0

КОД:

FF450R06ME3

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R06ME3

50 408¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF450R06ME3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

FF450R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF450R12KE4HOSA1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KE4HOSA1

61 031²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF450R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF450R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF450R12KT4HOSA1

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R12KT4HOSA1

45 408¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF450R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF450R33T3E3B5BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ

0.0

КОД:

FF450R33T3E3B5BPSA

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-XHP100-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF450R33T3E3B5BPSA1

460 341⁸⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF450R33T3E3B5BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А

0.0

КОД:

FF45MR12W1M1B11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-EASY1BM-2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...20В Напряжение сток-исток1,2кВ

18 163⁸³ ^₽

Доступность: 1 шт.

Минимальное количество для товара "FF45MR12W1M1B11BOMA1, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А" 1.

FF500R17KE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

0.0

КОД:

FF500R17KE4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-62MM-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF500R17KE4BOSA1

63 739⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF500R17KE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

FF900R12IE4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF900R12IE4

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-PRIME2-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF900R12IE4

147 475³⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF900R12IE4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FF900R12ME7B11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

0.0

КОД:

FF900R12ME7B11

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF900R12ME7B11BOSA1

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FF900R12ME7B11BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

FM24C64B-GTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SOIC8

0.0

КОД:

FM24C64B-GTR

Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсI2C КорпусSOIC8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FM24C64B-GTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SOIC8" 1.

FM24CL16B-DG, IC: память FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; DFN8

0.0

КОД:

FM24CL16B-DG

Вид памятиFRAM ИнтерфейсI2C КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяFM24CL16B-DG

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FM24CL16B-DG, IC: память FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; DFN8" 1.

FM24CL16B-DGTR, IC: память FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; DFN8

0.0

КОД:

FM24CL16B-DGTR

Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсI2C КорпусDFN8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FM24CL16B-DGTR, IC: память FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; DFN8" 1.

FM24CL64B-DGTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 1МГц; DFN8

0.0

КОД:

FM24CL64B-DGTR

Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсI2C КорпусDFN8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FM24CL64B-DGTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 1МГц; DFN8" 1.

FM25CL64B-DGTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; DFN8

0.0

КОД:

FM25CL64B-DGTR

Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI КорпусDFN8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FM25CL64B-DGTR, IC: память FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; DFN8" 1.

FM25L04B-DGTR, IC: память FRAM; 4кбFRAM; SPI; 512x8бит; 2,7÷3,6ВDC; 20МГц; DFN8

0.0

КОД:

FM25L04B-DGTR

Вид памятиFRAM Вид упаковкибобина, лента ИнтерфейсSPI КорпусDFN8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "FM25L04B-DGTR, IC: память FRAM; 4кбFRAM; SPI; 512x8бит; 2,7÷3,6ВDC; 20МГц; DFN8" 1.