Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
FS75R17KE3BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А
0.0
FS75R17KE3BOSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONO3-4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS75R17KE3BOSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS75R17KE3BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

FS820R08A6P2LBBPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 450А
0.0
FS820R08A6P2LB
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-HYBRIDD-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFS820R08A6P2LBBPSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FS820R08A6P2LBBPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 450А" 1.

FZ1000R33HE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1кА; винтами
0.0
FZ1000R33HE3BPSA1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ1000R33HE3BPSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ1000R33HE3BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1кА; винтами" 1.

FZ1400R33HE4BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
0.0
FZ1400R33HE4BPSA1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB130-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ1400R33HE4BPSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ1400R33HE4BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3
0.0
FZ2000R33HE4BOSA1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусAG-IHVB190-3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ2000R33HE4BOSA1
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ2000R33HE4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM
0.0
FZ400R12KS4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R12KS4HOSA1
22 96875 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ400R12KS4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; AG-62MM" 1.

FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами
0.0
FZ400R17KE4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ400R17KE4HOSA1
40 61837 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ400R17KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM
0.0
FZ600R12KE3HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ600R12KE3HOSA1
46 45076 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ600R12KE3HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM" 1.

FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами
0.0
FZ900R12KE4HOSA1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусAG-62MMES Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFZ900R12KE4HOSA1
53 74053 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FZ900R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; винтами" 1.

IAUA170N10S5N031AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 519А; 197Вт
0.0
IAUA170N10S5N031
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора88нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA170N10S5N031AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 519А; 197Вт" 1.

IAUA180N04S5N012AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; Idm: 720А; 125Вт
0.0
IAUA180N04S5N012
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA180N04S5N012AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; Idm: 720А; 125Вт" 1.

IAUA180N08S5N026AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 25А; Idm: 546А; 179Вт; PG-HSOF-5
0.0
IAUA180N08S5N026
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA180N08S5N026AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 25А; Idm: 546А; 179Вт; PG-HSOF-5" 1.

IAUA180N10S5N029AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 24А; Idm: 561А; 221Вт
0.0
IAUA180N10S5N029
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA180N10S5N029AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 24А; Idm: 561А; 221Вт" 1.

IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт
0.0
IAUA200N04S5N010
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
48106 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

IAUA210N10S5N024AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 26А; Idm: 674А; 238Вт
0.0
IAUA210N10S5N024
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора119нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA210N10S5N024AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 26А; Idm: 674А; 238Вт" 1.

IAUA220N08S5N021AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 27А; Idm: 677А; 211Вт; PG-HSOF-5
0.0
IAUA220N08S5N021
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA220N08S5N021AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 27А; Idm: 677А; 211Вт; PG-HSOF-5" 1.

IAUA250N04S6N005AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 62А; Idm: 1500А
0.0
IAUA250N04S6N005
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N005AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 62А; Idm: 1500А" 1.

IAUA250N04S6N006AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 57А; Idm: 1500А
0.0
IAUA250N04S6N006
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора169нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N006AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 57А; Idm: 1500А" 1.

IAUA250N04S6N007AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 55А; Idm: 1350А
0.0
IAUA250N04S6N007
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора151нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N007AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 55А; Idm: 1350А" 1.

IAUA250N04S6N007EAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 55А; Idm: 1300А
0.0
IAUA250N04S6N007E
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N007EAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 55А; Idm: 1300А" 1.

IAUA250N04S6N008AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 51А; Idm: 1100А
0.0
IAUA250N04S6N008
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора109нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N04S6N008AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 51А; Idm: 1100А" 1.

IAUA250N08S5N018AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 35А; Idm: 813А; 238Вт; PG-HSOF-5
0.0
IAUA250N08S5N018
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA250N08S5N018AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 35А; Idm: 813А; 238Вт; PG-HSOF-5" 1.

IAUC100N04S6L014ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
IAUC100N04S6L014
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC100N04S6L014ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

IAUC100N04S6L020ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
IAUC100N04S6L020
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUC100N04S6L020ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

Показать еще 24 товара