Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB073N15N5

Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

1 057⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB081N06L3G

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

204⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB083N10N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

288⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB083N15N5LF

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

1 404³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB090N06N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

209²⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт

0.0

КОД:

IPB100N04S303

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

354¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB100N06S205

Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

421⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB100N06S2L05

Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

803⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А

0.0

КОД:

IPB100N10S305ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А" 1.

IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB107N20N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

2 165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB107N20NAATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

1 372¹⁶ ^₽

Доступность: 823 шт.

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB108N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

795⁴⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB110N20N3LF

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

2 145⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB117N20NFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

1 183⁷¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт

0.0

КОД:

IPB120N06S402

Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

556⁸² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт

0.0

КОД:

IPB120P04P404ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB120P04P404ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -110А; 136Вт" 1.

IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB123N10N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

377⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB144N12N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А

0.0

КОД:

IPB160N04S4L-H1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А" 1.

IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт

0.0

КОД:

IPB180N04S4H0

Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

761³⁶ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А

0.0

КОД:

IPB180N06S4H1ATMA2

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А" 1.

IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7

0.0

КОД:

IPB180P04P403

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,19мкC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB180P04P403ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -180А; 150Вт; PG-TO263-7" 1.

IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт

0.0

КОД:

IPB180P04P4L02ATMA

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора65нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB180P04P4L02ATMA2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -140А; Idm: -720А; 150Вт" 1.

IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB200N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В

531²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3" 1.