Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB200N25N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В

2 187⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB320N20N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В

676¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB407N30NATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В

1 547³⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB50R140CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB50R199CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В

610⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB50R250CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В

489⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB50R299CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В

451⁷⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB530N15N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В

220⁶⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB600N25N3GATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В

598⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R060P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусD2PAK МонтажSMD

990⁵³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R080P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD

898⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R099C6

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R099C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

1 406²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R099C7

Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

887³¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2

0.0

КОД:

IPB60R099CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

1 660⁹⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R099P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC КорпусD2PAK МонтажSMD

757⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK" 1.

IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R120P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусD2PAK МонтажSMD

624⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R125C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R160C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

663⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R165CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

1 447⁹² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R180C7

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

477²⁷ ^₽

Доступность: 970 шт.

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK

0.0

КОД:

IPB60R180P7

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора25нC КорпусD2PAK МонтажSMD

471⁵⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK" 1.

IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R190C6ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3

0.0

КОД:

IPB60R199CPATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В

681⁸² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.