INFINEON TECHNOLOGIES

0.0
SMBTA92E6327
КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер300В Обозначение производителяSMBTA92E6327HTSA1 Полярностьбиполярный
52.17 
Доступность: 1200 шт.
+

Минимальное количество для товара "SMBTA92E6327HTSA1, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
SN7002NH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
37.94 
Доступность: 9000 шт.
+

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
SN7002NH6433XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
33.20 
Доступность: 4937 шт.
+

Минимальное количество для товара "SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
SN7002WH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
31.62 
Доступность: 2027 шт.
+

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

0.0
SPA06N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
395.26 
Доступность: 16 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 39Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

0.0
SPA07N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
479.05 
Доступность: 81 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 32Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

0.0
SPA08N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
406.32 
Доступность: 19 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 40Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

0.0
SPA11N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
442.69 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 34Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

0.0
SPA15N60C3XKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO220 FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
515.42 
Доступность: 60 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA15N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 45А; 34Вт" 1.

0.0
SPA17N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
633.99 
Доступность: 33 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

0.0
SPA20N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
768.38 
Доступность: 38 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,1А; 34,5Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

0.0
SPB17N80C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
904.35 
Доступность: 315 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
180.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPB20N60C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
605.53 
Доступность: 777 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
641.90 
Доступность: 447 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
89.33 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD04P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
187.35 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD08P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
81.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD09P06PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
160.47 
Доступность: 1673 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD15P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
271.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD15P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
197.63 
Доступность: 2152 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD18P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
188.14 
Доступность: 2419 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD30P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
283.00 
Доступность: 1070 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SPD50N03S207GBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
90.12 
Доступность: 1365 шт.
+

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки