INFINEON TECHNOLOGIES

0.0
IPD60R380C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,7А; Idm: 30А; 83Вт; PG-TO252" 1.

0.0
IPD60R385CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,7А; Idm: 27А; 83Вт; PG-TO252" 1.

0.0
IPD60R3K3C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R3K3C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,1А; Idm: 4А; 18,1Вт; PG-TO252" 1.

0.0
IPD60R400CEAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R400CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,3А; Idm: 30А; 112Вт; PG-TO252" 1.

0.0
IPD60R600C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 19А; 63Вт; PG-TO252" 1.

0.0
IPD60R600P7ATMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
20265 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R600P7SAUMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
21970 
Доступность: 2305 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD60R600PFD7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 4А; Idm: 14А" 1.

0.0
IPD60R650CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора20,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
16288 
Доступность: 2195 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R650CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт" 1.

0.0
IPD640N06LGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD640N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 60В; 12А; Idm: 72А; 47Вт" 1.

0.0
IPD65R190C7ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; 28Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R1K4CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
15625 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R1K4CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R225C7ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R225C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R250C6XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R250C6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208,3Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R250E6XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
50947 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R250E6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R380C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
31250 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R380E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
31250 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R380E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
31250 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R400CEAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток700В
000 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R400CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 9,5А; Idm: 30А; 118Вт; PG-TO252" 1.

0.0
IPD65R420CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
32860 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R420CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
32860 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
24242 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
24242 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD65R600E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
24242 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 24 товара