Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD65R660CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

408¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD65R660CFDBTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

252⁸⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD65R950CFDATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

308⁷¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD65R950CFDBTMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В

180⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70N10S312ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А

0.0

КОД:

IPD70N10S312ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70N10S312ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 1.

IPD70N10S3L12ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А

0.0

КОД:

IPD70N10S3L12ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70N10S3L12ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 1.

IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD70R1K4CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

177⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD70R1K4P7S

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В

172³⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD70R2K0CE

Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 5.

IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD70R360P7S

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В

162⁸⁸ ^₽

Доступность: 1698 шт.

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 5А; 43,1Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD70R600P7S

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 5А; 43,1Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD70R900P7S

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток700В

143⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD78CN10NGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В

286⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А

0.0

КОД:

IPD80P03P4L07ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80P03P4L07ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -65А; Idm: -320А" 1.

IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD80R1K0CEATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R1K2P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

211¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3

0.0

КОД:

IPD80R1K4CEATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В

321⁹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R1K4P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

162⁸⁸ ^₽

Доступность: 2489 шт.

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R280P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

608⁹⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R2K0P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

158¹⁴ ^₽

Доступность: 1476 шт.

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R2K4P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

165⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R360P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

536⁹³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R3K3P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

206⁴⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; 73Вт; PG-TO252-3; ESD

0.0

КОД:

IPD80R450P7

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IPD80R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; 73Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.