Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
MIXG180W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А
0.0
MIXG180W1200PTEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
47 419.76 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

MIXG180W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А
0.0
MIXG180W1200TEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG180W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
47 419.76 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG180W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 195А" 1.

MIXG240RF1200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; X2PT
0.0
MIXG240RF1200PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240RF1200PTED Обратное напряжение макс.1,2кВ
13 630.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG240RF1200PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; X2PT" 1.

MIXG240W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А
0.0
MIXG240W1200PTEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
55 712.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

MIXG240W1200PZTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт; Urmax: 1,2кВ
0.0
MIXG240W1200PZTEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200PZTEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
59 498.81 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200PZTEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт; Urmax: 1,2кВ" 1.

MIXG240W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А
0.0
MIXG240W1200TEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG240W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
55 712.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG240W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 233А" 1.

MIXG300PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
MIXG300PF1700TSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG300PF1700TSF Обратное напряжение макс.1,7кВ
45 796.05 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG300PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MIXG330PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MIXG330PF1200PTSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG330PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
38 765.22 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG330PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MIXG330PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MIXG330PF1200TSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG330PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
38 765.22 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG330PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MIXG450PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
0.0
MIXG450PF1700TSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG450PF1700TSF Обратное напряжение макс.1,7кВ
54 991.30 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG450PF1700TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

MIXG490PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MIXG490PF1200PTSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200PTSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
51 565.22 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200PTSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MIXG490PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
0.0
MIXG490PF1200TSF
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSimBus F Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG490PF1200TSF Обратное напряжение макс.1,2кВ
47 780.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG490PF1200TSF, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

MIXG70W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 79А
0.0
MIXG70W1200TED
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIXG70W1200TED Обратное напряжение макс.1,2кВ
25 422.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MIXG70W1200TED, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 79А" 1.

MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс
0.0
MKE38P600LB
Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD
7 554.15 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 1.

MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор
0.0
MKE38RK600DFELB
Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD
4 633.99 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт
0.0
MKI100-12F8
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI100-12F8
40 747.83 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт" 1.

MKI50-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 225Вт
0.0
MKI50-06A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7
10 222.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 225Вт" 1.

MKI50-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 50А
0.0
MKI50-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-06A7T
7 663.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI50-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 50А" 1.

MKI50-12F7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 45А
0.0
MKI50-12F7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI50-12F7
24 700.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI50-12F7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 45А" 1.

MKI65-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; NPT
0.0
MKI65-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMKI65-06A7T Обратное напряжение макс.0,6кВ
13 415.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI65-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; NPT" 1.

MKI75-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 280Вт
0.0
MKI75-06A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7
11 286.96 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; 280Вт" 1.

MKI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 60А
0.0
MKI75-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMKI75-06A7T
11 935.18 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 60А" 1.

MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт
0.0
MMIX1F132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора267нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 356.52 ₽
Доступность: 20 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт" 1.

MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD
0.0
MMIX1F160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора367нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 864.82 ₽
Доступность: 20 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки