Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN100N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 430.83 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXFN100N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора183нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 365.22 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт
0.0
IXFN102N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора224нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 486.96 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN110N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора254нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 052.17 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт
0.0
IXFN110N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 996.05 ₽
Доступность: 8 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN120N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 732.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN130N90SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
37 141.50 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 327.27 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт
0.0
IXFN140N20P
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 336.76 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN140N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 022.13 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN150N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 856.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт
0.0
IXFN160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 177.87 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN170N30P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 996.05 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт
0.0
IXFN170N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 001.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт
0.0
IXFN180N15P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 336.76 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт
0.0
IXFN180N25T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 364.43 ₽
Доступность: 279 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт
0.0
IXFN200N10P
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 336.76 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXFN20N120P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
2 494.86 ₽
Доступность: 21 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт
0.0
IXFN210N30P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 873.52 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN210N30X3
Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 337.55 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт
0.0
IXFN220N20X3
Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 166.01 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт
0.0
IXFN230N20T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 718.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXFN240N15T2
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора460нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 414.23 ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN240N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт
0.0
IXFN240N25X3
Вид каналаобогащенный Время готовности165нс Заряд затвора345нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 528.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN240N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки