Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN44N80Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 061.66 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN48N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 415.81 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC
0.0
IXFN50N120SIC
Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 770.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN50N120SK
Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
16 011.07 ₽
Доступность: 8 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXFN520N075T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 206.32 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А
0.0
IXFN52N100X
Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 942.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXFN52N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 888.54 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт
0.0
IXFN56N90P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 945.45 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN60N80P
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 834.78 ₽
Доступность: 195 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN62N80Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 449.80 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт
0.0
IXFN64N50P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 490.12 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXFN64N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 611.07 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXFN66N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 184.98 ₽
Доступность: 4 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN80N50Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 286.17 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN80N60P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 165.22 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт
0.0
IXFN82N60P
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 524.90 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт
0.0
IXFN82N60Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 430.83 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC
0.0
IXFN90N170SK
Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
87 084.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт
0.0
IXFN90N85X
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 153.36 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт
0.0
IXFN94N50P2
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 101.98 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

IXFP102N15T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 102А; 455Вт; TO220AB
0.0
IXFP102N15T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора87нC КорпусTO220AB МонтажTHT
834.78 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFP102N15T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 102А; 455Вт; TO220AB" 1.

IXFP10N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 200Вт; TO220AB; 120нс
0.0
IXFP10N60P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора32нC КорпусTO220AB
439.53 ₽
Доступность: 63 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXFP10N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 200Вт; TO220AB; 120нс" 1.

IXFP10N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; 300Вт; TO220AB
0.0
IXFP10N80P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO220AB МонтажTHT
830.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFP10N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; 300Вт; TO220AB" 1.

IXFP110N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; 480Вт; TO220AB; 85нс
0.0
IXFP110N15T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности85нс Заряд затвора150нC КорпусTO220AB
912.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXFP110N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; 480Вт; TO220AB; 85нс" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки