Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

IXYS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IXTK90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; TO264; 266нс
0.0
IXTK90N25L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности266нс Заряд затвора640нC КорпусTO264
4 705.14 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; TO264; 266нс" 1.

IXTK90P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -90А; 890Вт; TO264
0.0
IXTK90P20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности315нс Заряд затвора205нC КорпусTO264
3 397.63 ₽
Доступность: 31 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTK90P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -90А; 890Вт; TO264" 1.

IXTL2N450, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,5кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™
0.0
IXTL2N450
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
30 110.67 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTL2N450, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,5кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

IXTL2N470, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,7кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™
0.0
IXTL2N470
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
20 482.21 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTL2N470, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,7кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт
0.0
IXTN102N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 863.24 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN110N20L2
Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 392.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами
0.0
IXTN120P20T
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 330.43 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт
0.0
IXTN17N120L
Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 494.86 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт
0.0
IXTN200N10L2
Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 353.36 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт
0.0
IXTN200N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 526.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами
0.0
IXTN210P10T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 345.45 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А
0.0
IXTN22N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 494.86 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN240N075L2
Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 656.13 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А
0.0
IXTN30N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
16 281.42 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN32P60P
Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 193.68 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN40P50P
Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 517.79 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXTN46N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 494.86 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN550N055T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 008.70 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN600N04T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 328.06 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN60N50L2
Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 996.05 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт
0.0
IXTN62N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 799.21 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN80N30L2
Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 743.08 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN90N25L2
Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 353.36 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO220AB; 2нс
0.0
IXTP01N100D
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO220AB
1 263.24 ₽
Доступность: 329 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO220AB; 2нс" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Внешние размеры
    Показать все (19)
Срок поставки