Товары от производителя MGT BRIGHTEK

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора22нC Код производителяGPT65C0YME КорпусDFN8080
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65C0YME, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора38нC Код производителяGPT65Z4YMR КорпусDFN8080
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65Z4YMR, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость15пФ Импульсный ток12,5А Код производителяUT8005B
10.78 
Доступность: 11756 шт.
 

Минимальное количество для товара "UT8005B, Диод: TVS; 6В; 12,5А; двунаправленный; DFN0603-2; бобина,лента" 25.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость0,18пФ Импульсный ток Код производителяUT817ZB
22.39 
Доступность: 11125 шт.
 

Минимальное количество для товара "UT817ZB, Диод: TVS; 6В; 4А; двунаправленный; DFN0603-2; бобина,лента; ESD" 25.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость0,45пФ Импульсный ток Код производителяUT8413A
19.07 
Доступность: 2890 шт.
 

Минимальное количество для товара "UT8413A, Диод: TVS, сборка; 5÷8,5В; 5А; DFN2510-10; Ch: 4; бобина,лента; ESD" 5.

ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость0,28пФ Импульсный ток Код производителяUT848ZA
32.34 
Доступность: 2665 шт.
 

Минимальное количество для товара "UT848ZA, Диод: TVS, сборка; 6,5÷16В; 6А; DFN2510-10; Ch: 4; бобина,лента; ESD" 5.

Фильтры товаров
Срок поставки
Тип диода
Тип транзистора
Конструкция диода
Полярность
Версия
Кол-во каналов
Емкость
Напряжение пробоя
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Заряд затвора
Вид транзистора
Напряжение затвор-исток
Вид упаковки
Ток стока в импульсном режиме