Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя MICROCHIP TECHNOLOGY - страница 31

Сортировать по:
Новинки ниже
APTM100A13SG, Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Idm: 240А; 1,25кВт; винтами
0.0
APTM100A13SG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток1кВ
69 266.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM100A13SG, Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Idm: 240А; 1,25кВт; винтами" 1.

APTM100DA18TG, Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 33А; SP4; коннекторы FASTON,винтами
0.0
APTM100DA18TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток1кВ
25 247.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM100DA18TG, Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 33А; SP4; коннекторы FASTON,винтами" 1.

APTM10DAM05TG, Модуль; диод/транзистор; 100В; 207А; SP4; Idm: 1100А; 780Вт; винтами
0.0
APTM10DAM05TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток100В
26 028.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM10DAM05TG, Модуль; диод/транзистор; 100В; 207А; SP4; Idm: 1100А; 780Вт; винтами" 1.

APTM10SKM05TG, Модуль; диод/транзистор; 100В; 207А; SP4; Idm: 1100А; 780Вт; винтами
0.0
APTM10SKM05TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток100В
26 028.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM10SKM05TG, Модуль; диод/транзистор; 100В; 207А; SP4; Idm: 1100А; 780Вт; винтами" 1.

APTM20DAM08TG, Модуль; диод/транзистор; 200В; 155А; SP4; Idm: 832А; 781Вт; Ugs: ±30В
0.0
APTM20DAM08TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток200В
25 769.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM20DAM08TG, Модуль; диод/транзистор; 200В; 155А; SP4; Idm: 832А; 781Вт; Ugs: ±30В" 1.

APTM20HM08FG, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 155А; SP6C; Топология: Н мост
0.0
APTM20HM08FG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток200В
56 826.57 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM20HM08FG, Модуль; транзистор/транзистор; 200В; 155А; SP6C; Топология: Н мост" 1.

APTM20SKM08TG, Модуль; диод/транзистор; 200В; 155А; SP4; Idm: 832А; 781Вт; Ugs: ±30В
0.0
APTM20SKM08TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток200В
25 769.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM20SKM08TG, Модуль; диод/транзистор; 200В; 155А; SP4; Idm: 832А; 781Вт; Ugs: ±30В" 1.

APTM50H10FT3G, Модуль; транзистор/транзистор; 500В; 28А; SP3; Press-in PCB; 312Вт
0.0
APTM50H10FT3G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток500В
24 574.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM50H10FT3G, Модуль; транзистор/транзистор; 500В; 28А; SP3; Press-in PCB; 312Вт" 1.

APTM50HM65FT3G, Модуль; транзистор/транзистор; 500В; 38А; SP3F; Press-in PCB
0.0
APTM50HM65FT3G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В Напряжение сток-исток500В
25 977.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APTM50HM65FT3G, Модуль; транзистор/транзистор; 500В; 38А; SP3F; Press-in PCB" 1.

ARF475FL, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ
0.0
ARF475FL
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкитуба Выходная мощность900Вт Конструкция диодаобщий источник
38 609.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ARF475FL, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; RF; 500В; 10А; 910Вт; T3A-8; 16дБ" 1.

DN2450K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,7А; 2,5Вт; TO252
0.0
DN2450K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
129.89 ₽
Доступность: 1589 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2450K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,7А; 2,5Вт; TO252" 1.

DN2450N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN2450N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
194.83 ₽
Доступность: 1260 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2450N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

DN2470K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 0,5А; 2,5Вт; TO252
0.0
DN2470K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
146.13 ₽
Доступность: 1630 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2470K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 0,5А; 2,5Вт; TO252" 1.

DN2530N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 1,6Вт; TO92
0.0
DN2530N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
129.89 ₽
Доступность: 306 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2530N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 1,6Вт; TO92" 1.

DN2530N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 740мВт; SOT89-3
0.0
DN2530N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.08 ₽
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2530N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 740мВт; SOT89-3" 1.

DN2535N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 1Вт; TO92
0.0
DN2535N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
71.59 ₽
Доступность: 149 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2535N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 1Вт; TO92" 1.

DN2535N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
0.0
DN2535N3-G-P003
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
188.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2535N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

DN2535N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
0.0
DN2535N3-G-P013
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
188.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2535N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

DN2535N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 15Вт; TO220
0.0
DN2535N5-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
329.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2535N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,15А; 15Вт; TO220" 1.

DN2540N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
0.0
DN2540N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
185.24 ₽
Доступность: 84 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Длина
Рабочее напряжение
Срок поставки