Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя MICROCHIP TECHNOLOGY - страница 32

Сортировать по:
Новинки ниже
DN2540N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
0.0
DN2540N3-G-P003
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
194.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2540N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

DN2540N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 0,5А; 15Вт; TO220
0.0
DN2540N5-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
316.61 ₽
Доступность: 226 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N5-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 0,5А; 15Вт; TO220" 1.

DN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 170мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт
0.0
DN2540N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
261.25 ₽
Доступность: 204 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 170мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт" 1.

DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252
0.0
DN2625K4-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
326.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3
0.0
DN3135K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.24 ₽
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN3525N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN3535N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
186.72 ₽
Доступность: 1625 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92
0.0
DN3545N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
159.41 ₽
Доступность: 996 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3545N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 740мВт; TO92" 1.

DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
DN3545N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
238.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5
0.0
LND01K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток9В
118.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт
0.0
LND150K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
175.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

LND150N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92
0.0
LND150N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
129.15 ₽
Доступность: 918 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92" 3.

LND150N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P002
Вид каналаобедненный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
125.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P003
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
125.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P013
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
125.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P014
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
125.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт
0.0
LND150N8-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.91 ₽
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3
0.0
LND250K1-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
104.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8
0.0
LP0701LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
388.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8" 1.

LP0701N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1Вт; TO92
0.0
LP0701N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±10В
412.55 ₽
Доступность: 996 шт.
 

Минимальное количество для товара "LP0701N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Длина
Рабочее напряжение
Срок поставки