Бренды :: MICROCHIP TECHNOLOGY

2N3585, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 2А; 35Вт; TO66

0.0

КОД:

2N3585

Вид упаковкироссыпью КорпусTO66 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер300В Обозначение производителя2N3585

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "2N3585, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 2А; 35Вт; TO66" 1.

2N3716, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 10А; 85,7Вт; TO3

0.0

КОД:

2N3716

Вид упаковкироссыпью КорпусTO3 Коэффициент усиления по току5...150 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "2N3716, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 10А; 85,7Вт; TO3" 1.

2N6299, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 8А; 32Вт; TO66

0.0

КОД:

2N6299

Вид упаковкироссыпью КорпусTO66 Коэффициент усиления по току100...750 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер80В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

2N6660, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,5А; TO39

0.0

КОД:

2N6660

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "2N6660, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,5А; TO39" 1.

2N6661, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 1,5А; TO39

0.0

КОД:

2N6661

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В

3 539⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "2N6661, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 1,5А; TO39" 1.

2N7000-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; TO92

0.0

КОД:

2N7000-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В

164⁷⁷ ^₽

Доступность: 659 шт.

Минимальное количество для товара "2N7000-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; TO92" 1.

2N7002-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

0.0

КОД:

2N7002-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В

149⁶² ^₽

Доступность: 323 шт.

Минимальное количество для товара "2N7002-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3" 1.

2N7008-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; TO92

0.0

КОД:

2N7008-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В

195⁰⁸ ^₽

Доступность: 356 шт.

Минимальное количество для товара "2N7008-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; TO92" 1.

2N918, Транзистор: NPN; биполярный; 15В; 50мА; 0,2Вт; TO72

0.0

КОД:

2N918

Вид упаковкироссыпью КорпусTO72 Коэффициент усиления по току10...200 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер15В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "2N918, Транзистор: NPN; биполярный; 15В; 50мА; 0,2Вт; TO72" 1.

47C04-I/P, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47C04-I/P

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусDIP8

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "47C04-I/P, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C" 1.

47C04-I/SN, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47C04-I/SN

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусSO8

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "47C04-I/SN, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; -40÷85°C" 1.

47C04-I/ST, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; туба

0.0

КОД:

47C04-I/ST

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусTSSOP8

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "47C04-I/ST, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; туба" 1.

47C16-I/P, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

0.0

КОД:

47C16-I/P

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусDIP8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 51 шт.

Минимальное количество для товара "47C16-I/P, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба" 1.

47C16-I/SN, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47C16-I/SN

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусSO8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 96 шт.

Минимальное количество для товара "47C16-I/SN, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; -40÷85°C" 1.

47C16-I/ST, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; туба

0.0

КОД:

47C16-I/ST

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусTSSOP8

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "47C16-I/ST, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; туба" 1.

47L04-I/P, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47L04-I/P

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусDIP8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 178 шт.

Минимальное количество для товара "47L04-I/P, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C" 1.

47L04-I/SN, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47L04-I/SN

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусSO8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 476 шт.

Минимальное количество для товара "47L04-I/SN, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C" 1.

47L04-I/ST, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

0.0

КОД:

47L04-I/ST

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусTSSOP8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 240 шт.

Минимальное количество для товара "47L04-I/ST, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба" 1.

47L04T-I/SN, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47L04T-I/SN

Вид памятиEERAM Вид упаковкибобина, лента Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусSO8

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "47L04T-I/SN, IC: память SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C" 1.

47L16-I/P, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба

0.0

КОД:

47L16-I/P

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусDIP8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 33 шт.

Минимальное количество для товара "47L16-I/P, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; туба" 1.

47L16-I/SN, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

0.0

КОД:

47L16-I/SN

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусSO8

0⁰⁰ ^₽

Доступность: 294 шт.

Минимальное количество для товара "47L16-I/SN, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C" 1.

47L16-I/ST, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

0.0

КОД:

47L16-I/ST

Вид памятиEERAM Вид упаковкитуба Виды интерфейсапоследовательный ИнтерфейсI2C КорпусTSSOP8

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "47L16-I/ST, IC: память SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба" 1.

62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA1

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

22 518⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®

0.0

КОД:

62CA2

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014

22 303⁰³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.