Товары от производителя MICROCHIP TECHNOLOGY - страница 36

Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
224.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN0620N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
240.65 
Доступность: 135 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN0702N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2106K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,6А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
131.33 
Доступность: 433 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2106N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,6А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2124K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,14А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
242.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2425N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
239.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2435N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 1А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
234.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2501N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 18В; 0,25А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
140.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2504N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
235.51 
Доступность: 147 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2510N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
281.00 
Доступность: 180 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2524N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 1А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
212.77 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2540N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 175мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
242.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 260мА; Idm: 1,8А; 1,6Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
403.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2640K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 500мА; Idm: 3А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
348.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN2640LG-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 260мА; Idm: 2А; 1,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
306.68 
Доступность: 16 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN2640N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 220мА; Idm: 2А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
132.06 
Доступность: 514 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5325N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 215мА; Idm: 0,8А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
119.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5325N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 215мА; Idm: 0,8А; 0,74Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
145.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5335K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
168.01 
Доступность: 897 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5335N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Длина
Рабочее напряжение
Срок поставки