Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя MICROCHIP TECHNOLOGY - страница 37

Сортировать по:
Новинки ниже
TP0604N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 740мВт; TO92
0.0
TP0604N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
269.37 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0604N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 740мВт; TO92" 1.

TP0606N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
0.0
TP0606N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
160.89 ₽
Доступность: 140 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

TP0606N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
0.0
TP0606N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
160.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

TP0606N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
0.0
TP0606N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
160.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3
0.0
TP0610T-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
204.43 ₽
Доступность: 107 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

TP0620N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1Вт; TO92
0.0
TP0620N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
163.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0620N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1Вт; TO92" 1000.

TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
0.0
TP2104K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
167.53 ₽
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
0.0
TP2104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
113.65 ₽
Доступность: 307 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
0.0
TP2104N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
118.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP2502N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
243.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP2510N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
222.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP2520N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92
0.0
TP2535N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
84.13 ₽
Доступность: 297 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92" 1.

TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт
0.0
TP2540N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
250.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт" 1.

TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
0.0
TP2540N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.49 ₽
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8
0.0
TP2640LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
363.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92
0.0
TP2640N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
301.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92" 1.

TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3
0.0
TP5322K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
132.84 ₽
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3" 1.

TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3
0.0
TP5322N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
129.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3
0.0
TP5335K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
135.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Длина
Рабочее напряжение
Срок поставки