Товары от производителя MICROCHIP TECHNOLOGY - страница 40

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
278.97 
Доступность: 271 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP0808L-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,1А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
159.41 
Доступность: 551 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
138.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
4 278.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
717.34 
Доступность: 1018 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
292.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
408.86 
Доступность: 162 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
346.13 
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
362.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток10А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя2ASC-12A1HP
30 372.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2ASC-12A1HP, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,7кВ МонтажPCB Обозначение производителя2ASC-17A1HP
34 028.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2ASC-17A1HP, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 385.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 208.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
18 208.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
49 494.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU2
6 805.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPT100GLQ65JU3
4 838.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GLQ65JU3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения0,1мкс Время выключения935нс Заряд затвора540нC КорпусT-Max
6 867.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120B2G, Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 100А; 960Вт; T-Max" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 808.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
13 055.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "APT100GN120JDQ4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А; SOT227B" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Длина
Рабочее напряжение
Срок поставки