Товары от производителя NEXPERIA - страница 115

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC Код производителяNX3020NAKV,115 КорпусSOT666
79.60 
Доступность: 765 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3020NAKV,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 120мА; Idm: 0,8А; 375мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC Код производителяNX3020NAKW,115 КорпусSC70, SOT323
19.07 
Доступность: 2050 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3020NAKW,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,11А; 300мВт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяNX6008NBKR МонтажSMD Полярностьполевой
32.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX6008NBKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяNX6020CAKSX МонтажSMD Полярностьполевой
58.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX6020CAKSX, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяNX7002AK,215 КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
19.07 
Доступность: 6503 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX7002AK,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,43нC Код производителяNX7002AKS,115 КорпусSC88, SOT363, TSSOP6
47.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX7002AKS,115, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 100мА; Idm: 0,68А; 330мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,43нC Код производителяNX7002AKVL
24.05 
Доступность: 2798 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX7002AKVL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120мА; Idm: 760мА; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,43нC Код производителяNX7002AKW,115 КорпусSC70, SOT323
15.75 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX7002AKW,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100мА; Idm: 0,68А; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяNX7002BKHH МонтажSMD Полярностьполевой
48.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKHH, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC Код производителяNX7002BKMBYL
39.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKMBYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,9А; 0,68Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC Код производителяNX7002BKMYL
34.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKMYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,9А; 350мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC Код производителяNX7002BKR
14.93 
Доступность: 4685 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; SOT23,TO236AB" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC Код производителяNX7002BKSX
33.17 
Доступность: 2134 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKSX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC Код производителяNX7002BKWX КорпусSC70, SOT323
16.58 
Доступность: 3578 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKWX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Код производителяNX7002BKXBZ МонтажSMD Полярностьполевой
65.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX7002BKXBZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяNXV65UPR КорпусSOT23, TO236AB
63.85 
Доступность: 2072 шт.
 

Минимальное количество для товара "NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC Код производителяNXV90EPR КорпусSOT23, TO236AB
77.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NXV90EPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяPHB20N06T,118 КорпусD2PAK, SOT404
120.23 
Доступность: 649 шт.
 

Минимальное количество для товара "PHB20N06T,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 14,3А; Idm: 81А; 62Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяPHB27NQ10T,118 КорпусD2PAK, SOT404
267.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PHB27NQ10T,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 112А; 107Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяPHB32N06LT,118 КорпусD2PAK, SOT404
279.44 
Доступность: 470 шт.
 

Минимальное количество для товара "PHB32N06LT,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Семейство
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Тип фильтра
Входное напряжение макс.
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Версия
Кол-во каналов
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Синхронизация
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Время переключения
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения