Товары от производителя NEXPERIA - страница 120

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,6нC Код производителяPMPB11EN,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB11EN,115, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,7А; Idm: 34А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяPMPB12UNEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB12UNEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 5А; Idm: 32А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяPMPB12UNEX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB12UNEX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 5А; Idm: 32А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяPMPB13XNE,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB13XNE,115, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяPMPB13XNEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB13XNEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяPMPB14XNX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB14XNX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 5,1А; Idm: 33А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяPMPB14XPX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB14XPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -35А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,2нC Код производителяPMPB15XN,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB15XN,115, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 4,6А; Idm: 24А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяPMPB15XP,115 КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
93.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB15XP,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -33А; 1,7Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяPMPB15XPAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB15XPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -33А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяPMPB15XPH
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB15XPH, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -33А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяPMPB16EPX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB16EPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,7А; Idm: -30А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,2нC Код производителяPMPB19XP,115
81.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB19XP,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,8нC Код производителяPMPB20EN,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB20EN,115, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 30А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,8нC Код производителяPMPB20ENZ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB20ENZ, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 30А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяPMPB20XPE,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB20XPE,115, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяPMPB20XPEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB20XPEAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А; 1,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC Код производителяPMPB215ENEA/FX КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
142.62 
Доступность: 2539 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMPB215ENEA/FX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC Код производителяPMPB215ENEAX
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB215ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяPMPB23XNE,115
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMPB23XNE,115, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 4,4А; Idm: 24А; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Семейство
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Тип фильтра
Входное напряжение макс.
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Версия
Кол-во каналов
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Синхронизация
Корпус
Падение напряжения макс.
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стабилизации
Ток стока
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Время переключения
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения