Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя ONSEMI - страница 163

Сортировать по:
Новинки ниже
NTR5103NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23
0.0
NTR5103NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,81нC КорпусSOT23 МонтажSMD
29.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTR5103NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23" 1.

NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23
0.0
NTR5105PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
32.28 ₽
Доступность: 1044 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23" 1.

NTR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,6А; 0,6Вт; SOT23
0.0
NTR5198NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.10 ₽
Доступность: 2580 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,6А; 0,6Вт; SOT23" 1.

NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS2101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
52.09 ₽
Доступность: 199 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,2А; 0,33Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
27.88 ₽
Доступность: 431 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,2А; 0,33Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
60.90 ₽
Доступность: 1141 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323" 1.

NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
0.0
NTS4173PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
51.36 ₽
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

NTS4409NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,75А; 0,28Вт; SC70,SOT323
0.0
NTS4409NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
51.36 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4409NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,75А; 0,28Вт; SC70,SOT323" 1.

NTZD3152PT1G, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
0.0
NTZD3152PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT563 МонтажSMD
55.03 ₽
Доступность: 1830 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3152PT1G, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563" 1.

NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563
0.0
NTZD3154NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT563 МонтажSMD
57.23 ₽
Доступность: 298 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563" 1.

NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTZD3155CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/1,7нC КорпусSOT563F
52.09 ₽
Доступность: 728 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 5.

NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTZD3155CT2G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F
57.96 ₽
Доступность: 3459 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD
0.0
NTZD5110NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
56.49 ₽
Доступность: 1700 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD" 1.

NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD
0.0
NTZS3151PT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
60.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

NVD5C688NLT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
0.0
NVD5C688NLT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусDPAK МонтажSMD
153.34 ₽
Доступность: 1652 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVD5C688NLT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK" 1.

NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223
0.0
NVF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
200.29 ₽
Доступность: 695 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223
0.0
NVF3055L108T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
214.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223" 1.

NVH4L040N65S3F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247
0.0
NVH4L040N65S3F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 864.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVH4L040N65S3F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247" 1.

NVHL020N090SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 83А; Idm: 472А; 251Вт
0.0
NVHL020N090SC1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
5 926.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVHL020N090SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 83А; Idm: 472А; 251Вт" 1.

NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт
0.0
NVJD5121NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
39.62 ₽
Доступность: 3026 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки