Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

PanJit Semiconductor

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
PJQ5534-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8
0.0
PJQ5534-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5534-AU_R2_002A1
125.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5534-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

PJQ5540V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060X-8
0.0
PJQ5540V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060X-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5540V-AU_R2_002A1
368.38 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5540V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060X-8" 1.

PJQ5542V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 136А; Idm: 544А; 100Вт
0.0
PJQ5542V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
297.23 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5542V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 136А; Idm: 544А; 100Вт" 1.

PJQ5544-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
0.0
PJQ5544-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
264.03 ₽
Доступность: 1952 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5544-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт" 1.

PJQ5544V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А; 94Вт
0.0
PJQ5544V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
274.31 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5544V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А; 94Вт" 1.

PJQ5546-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 85А; Idm: 340А; 68Вт
0.0
PJQ5546-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
184.98 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5546-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 85А; Idm: 340А; 68Вт" 1.

PJQ5546V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 79А; Idm: 316А; 65Вт
0.0
PJQ5546V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
192.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5546V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 79А; Idm: 316А; 65Вт" 1.

PJQ5548-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 48А; Idm: 192А; 36Вт
0.0
PJQ5548-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
166.01 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5548-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 48А; Idm: 192А; 36Вт" 1.

PJQ5548V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 45А; Idm: 180А; 36Вт
0.0
PJQ5548V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.78 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5548V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 45А; Idm: 180А; 36Вт" 1.

PJQ5576A-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8
0.0
PJQ5576A-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5576A-AU_R2_002A1
313.04 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5576A-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт
0.0
PJQ5948-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
195.26 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 37А; Idm: 148А; 30Вт" 1.

PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт
0.0
PJQ5948V-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
204.74 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJQ5948V-AU_R2_002A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 35А; Idm: 140А; 32Вт" 1.

PJS6403_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6
0.0
PJS6403-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
55.34 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6403_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6" 1.

PJS6421_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
0.0
PJS6421-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
64.03 ₽
Доступность: 2941 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6421_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт" 1.

PJS6421-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
0.0
PJS6421-AU-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора16,5нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
84.58 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6421-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт" 1.

PJS6461-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
PJS6461-AU-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
59.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6461-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
0.0
PJS6601-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,6/5,4нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
63.24 ₽
Доступность: 2648 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6601_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт" 1.

PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт
0.0
PJS6816-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
75.89 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6816_S1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 20,8А; 1,25Вт" 1.

PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
0.0
PJS6839-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
53.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJS6839_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт" 1.

PJSD03TS-AU_R1_000A1, Диод: TVS; 120Вт; 4В; 5А; однонаправленный; SOD523; бобина,лента
0.0
PJSD03TS-AU-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость200пФ Импульсный ток5А Конструкция диодаоднонаправленный
26.09 ₽
Доступность: 4700 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD03TS-AU_R1_000A1, Диод: TVS; 120Вт; 4В; 5А; однонаправленный; SOD523; бобина,лента" 1.

PJSD05TS_R1_00001, Диод: TVS; 120Вт; 6В; однонаправленный; SOD523; бобина,лента; 110пФ
0.0
PJSD05TS-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость110пФ Конструкция диодаоднонаправленный КорпусSOD523
52.96 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD05TS_R1_00001, Диод: TVS; 120Вт; 6В; однонаправленный; SOD523; бобина,лента; 110пФ" 1.

PJSD05TS-AU_R1_000A1, Диод: TVS; 120Вт; 6В; 5А; однонаправленный; SOD523; бобина,лента
0.0
PJSD05TS-AU-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость110пФ Импульсный ток5А Конструкция диодаоднонаправленный
31.62 ₽
Доступность: 4768 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD05TS-AU_R1_000A1, Диод: TVS; 120Вт; 6В; 5А; однонаправленный; SOD523; бобина,лента" 1.

PJSD12CW-AU_R1_000A1, Диод: TVS, сборка; 13,3÷14,7В; 15А; 350Вт; SOD323; бобина,лента
0.0
PJSD12CW-AU-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость0,1нФ Импульсный ток15А КорпусSOD323
42.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD12CW-AU_R1_000A1, Диод: TVS, сборка; 13,3÷14,7В; 15А; 350Вт; SOD323; бобина,лента" 1.

PJSD12TS_R1_00001, Диод: TVS; 120Вт; 13,3В; 5А; однонаправленный; SOD523; бобина,лента
0.0
PJSD12TS-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость60пФ Импульсный ток5А Конструкция диодаоднонаправленный
37.94 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD12TS_R1_00001, Диод: TVS; 120Вт; 13,3В; 5А; однонаправленный; SOD523; бобина,лента" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки