Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

PanJit Semiconductor

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
PJSD24TS_R1_00001, Диод: TVS; 120Вт; 26,7В; однонаправленный; SOD523; бобина,лента
0.0
PJSD24TS-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость25пФ Конструкция диодаоднонаправленный КорпусSOD523
37.15 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD24TS_R1_00001, Диод: TVS; 120Вт; 26,7В; однонаправленный; SOD523; бобина,лента" 1.

PJSD36W_R1_00001, Диод: TVS; 350Вт; 39,9÷45В; 1А; однонаправленный; SOD323; 30пФ; ESD
0.0
PJSD36W-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость30пФ Импульсный ток1А Конструкция диодаоднонаправленный
52.96 ₽
Доступность: 4635 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD36W_R1_00001, Диод: TVS; 350Вт; 39,9÷45В; 1А; однонаправленный; SOD323; 30пФ; ESD" 1.

PJSD36W-AU_R1_000A1, Диод: TVS; 350Вт; 39,9÷45В; 1А; однонаправленный; SOD323; 30пФ; ESD
0.0
PJSD36W-AU-R1
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Емкость30пФ Импульсный ток1А Конструкция диодаоднонаправленный
43.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJSD36W-AU_R1_000A1, Диод: TVS; 350Вт; 39,9÷45В; 1А; однонаправленный; SOD323; 30пФ; ESD" 1.

PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
0.0
PJT138K-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
42.69 ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT138K-AU_R1_000A1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт" 1.

PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
0.0
PJT7600-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
90.91 ₽
Доступность: 2685 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт" 1.

PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7600-S1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7600_S1_00001
42.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7600_S1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
0.0
PJT7603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT363 МонтажSMD
43.48 ₽
Доступность: 2880 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт" 1.

PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363
0.0
PJT7605-AU-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD Обозначение производителяPJT7605-AU_R1_000A1
139.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7605-AU_R1_000A1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363" 1.

PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
0.0
PJT7800-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусSOT363 МонтажSMD
56.92 ₽
Доступность: 5978 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7800_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363" 1.

PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
0.0
PJT7801-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT363 МонтажSMD
74.31 ₽
Доступность: 2845 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7801_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт" 1.

PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт
0.0
PJT7828-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSOT363 МонтажSMD
56.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7828_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 350мВт" 1.

PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт
0.0
PJT7838-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95нC КорпусSOT363 МонтажSMD
73.52 ₽
Доступность: 7648 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJT7838_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 400мА; Idm: 1,2А; 350мВт" 1.

PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
0.0
PJW3P10A-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
115.42 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт" 1.

PJW4P06A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
0.0
PJW4P06A-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT223 МонтажSMD
85.38 ₽
Доступность: 860 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJW4P06A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223" 1.

PJW4P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
0.0
PJW4P06A-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT223 МонтажSMD
97.23 ₽
Доступность: 3187 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJW4P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223" 1.

PJW5P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; Idm: -20А; 1Вт; SOT223
0.0
PJW5P06A-AU-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT223 МонтажSMD
98.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJW5P06A-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5А; Idm: -20А; 1Вт; SOT223" 1.

PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
0.0
PJX138K-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
42.69 ₽
Доступность: 3935 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJX138K_R1_00001, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563
0.0
PJX138L-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD Обозначение производителяPJX138L_R1_00002
78.26 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PJX138L_R1_00002, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563" 1.

PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
0.0
PJX8603-R1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,95/1,1нC КорпусSOT563 МонтажSMD
50.59 ₽
Доступность: 1927 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "PJX8603_R1_00001, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт" 1.

PMS410_R2_00601, Диодный мост: однофазный; Urmax: 1кВ; If: 4А; Ifsm: 120А; M4; SMT
0.0
PMS410-R2
Вид упаковкибобина, лента Импульсный ток120А КорпусM4 Обозначение производителяPMS410_R2_00601 Обратное напряжение макс.1кВ
86.17 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PMS410_R2_00601, Диодный мост: однофазный; Urmax: 1кВ; If: 4А; Ifsm: 120А; M4; SMT" 1.

PSDH60120S1B_T0_00601, Диод: выпрямительный; THT; 1,2кВ; 60А; туба; Ifsm: 300А; TO247-2
0.0
PSDH60120S1B-T0
Вид упаковкитуба Время готовности170нс Импульсный ток0,3кА Конструкция диодаодиночный диод КорпусTO247-2
453.75 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSDH60120S1B_T0_00601, Диод: выпрямительный; THT; 1,2кВ; 60А; туба; Ifsm: 300А; TO247-2" 1.

PSMB050N10NS2_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263
0.0
PSMB050N10NS2-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусTO263 МонтажSMD
428.46 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSMB050N10NS2_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263" 1.

PSMB050N10NS2_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263
0.0
PSMB050N10NS2-T0
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора53нC КорпусTO263 МонтажSMD
300.40 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSMB050N10NS2_T0_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 138Вт; TO263" 1.

PSMB055N08NS1_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263
0.0
PSMB055N08NS1-R2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65,8нC КорпусTO263 МонтажSMD
257.71 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "PSMB055N08NS1_R2_00601, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 108А; Idm: 360А; 113,6Вт; TO263" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки