Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
62MM
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
1MBI200U4H-120L-50
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
FUJI
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Топология
boost chopper
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены