Вид упаковки
бобина, лента
Время готовности
4нс
Емкость
4пФ
Импульсный ток
2А
Конструкция диода
одиночный диод
Корпус
DO35
Монтаж
THT
Обозначение производителя
1N4448 A0G
Обратное напряжение макс.
100В
Падение напряжения макс.
1В
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Прямой ток
0,15А
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Тип диода
импульсный
Отзывы не найдены