Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А

Написать отзыв
A1P35S12M3
14 43561 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
18+
Цена
12 998.11 ₽
11 476.33 ₽
10 311.55 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
A1P35S12M3 STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
ACEPACK™1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
A1P35S12M3
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
двигатели, инвертор
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
250Вт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
35А
Ток коллектора в импульсе
70А
Топология
полумост IGBT x3, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены