A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А

A1P50S65M2
8 367 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
Цена
8 185 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

Артикул производителя
A1P50S65M2 STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
ACEPACK™1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
A1P50S65M2
Обратное напряжение макс.
650В
Применение
двигатели, инвертор
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
208Вт
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Топология
полумост IGBT x3, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Описание (a1p50s65m2.pdf, 787 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены