Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

AFGB40T65SQDN, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK; автомобильная отрасль

Написать отзыв
AFGB40T65SQDN
000 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "AFGB40T65SQDN, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK; автомобильная отрасль" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
AFGB40T65SQDN ONSEMI
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
76нC
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Обозначение производителя
AFGB40T65SQDN
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
ONSEMI
Рассеиваемая мощность
119Вт
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
160А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены