Вид упаковки
бобина, лента
Время включения
27нс
Время выключения
186нс
Заряд затвора
64нC
Корпус
DPAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Обозначение производителя
AIHD10N60RFATMA1
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
150Вт
Технология
TRENCHSTOP™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
30А
Характеристики полупроводниковых элементов
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Отзывы не найдены