Вид упаковки
туба
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
APT100GT120JRDQ4
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
NPT, Thunderblot IGBT®
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
67А
Ток коллектора в импульсе
200А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены