Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B

Написать отзыв
APT150GT120JR
16 91813 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
15 227.11 ₽
13 454.23 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "APT150GT120JR, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 90А; SOT227B" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
APT150GT120JR MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
APT150GT120JR
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
NPT, Thunderblot IGBT®
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
90А
Ток коллектора в импульсе
450А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены