APT33GF120B2RDQ2G, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max

APT33GF120B2RDQ2G
5 23011 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
4 707.39 ₽
4 134.47 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "APT33GF120B2RDQ2G, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max" 1.

Артикул производителя
APT33GF120B2RDQ2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
31нс
Время выключения
355нс
Заряд затвора
170нC
Корпус
T-Max
Монтаж
THT
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Обозначение производителя
APT33GF120B2RDQ2G
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
357Вт
Технология
NPT
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
75А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены