Вид упаковки
туба
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Обозначение производителя
APT35GP120JDQ2
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
POWER MOS 7®, PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
26А
Ток коллектора в импульсе
140А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены