APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

APT75GT120JRDQ3

Срок поставки 4-6 недель

12 355.00 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
11 120.83 ₽
9 826.67 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "APT75GT120JRDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
APT75GT120JRDQ3 MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Код производителя
APT75GT120JRDQ3
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
NPT, POWER MOS 7®
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
57А
Ток коллектора в импульсе
300А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России