Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
APTC60AM45BC1G
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
250Вт
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Технология
CoolMOS™, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
38А
Ток стока в импульсном режиме
130А
Топология
boost chopper, полумост MOSFET
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены