Конструкция диода
общий эмиттер, транзистор/транзистор
Корпус
SP6
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
APTGT225DU170G
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
1,25кВт
Технология
Field Stop
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
225А
Ток коллектора в импульсе
450А
Топология
IGBT x2
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены