APTGT50A170T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ

APTGT50A170T1G

Срок поставки 4-6 недель

0.00 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "APTGT50A170T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Артикул производителя
APTGT50A170T1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
APTGT50A170T1G
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SP1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Применение
двигатели
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Технология
Field Stop, Trench
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Топология
полумост IGBT, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России