Код производителя
APTM100H35FT3G
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SP3
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
390Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,42Ом
Технология
FREDFET, POWER MOS 7®
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
17А
Ток стока в импульсном режиме
88А
Топология
Н мост, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены