Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP4
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
APTM100H45SCTG
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
357Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,54Ом
Технология
POWER MOS 7®, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
14А
Ток стока в импульсном режиме
72А
Топология
мост H + параллельные диоды, термистор NTC
Электрический монтаж
винтами, коннекторы FASTON
Отзывы не найдены