Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP6
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
APTM100UM65SCAVG
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
3,25кВт
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм
Технология
POWER MOS 7®, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
110А
Ток стока в импульсном режиме
580А
Топология
одиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены