APTM120DA30CT1G, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; 657Вт

APTM120DA30CT1G
000 
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "APTM120DA30CT1G, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; 657Вт" 1.

Артикул производителя
APTM120DA30CT1G MICROCHIP TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
APTM120DA30CT1G
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
657Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Технология
POWER MOS 8®, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
23А
Ток стока в импульсном режиме
195А
Топология
boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены