Код производителя
APTM120DA30CT1G
Конструкция диода
диод SiC/транзистор
Корпус
SP1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
657Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Технология
POWER MOS 8®, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
23А
Ток стока в импульсном режиме
195А
Топология
boost chopper, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены