Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SP1
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
APTM120H140FT1G
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
208Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,68Ом
Технология
POWER MOS 8®
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
6А
Ток стока в импульсном режиме
50А
Топология
Н мост, термистор NTC
Электрический монтаж
Press-in PCB
Отзывы не найдены